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3D-LSI能否成为技术革命的旗手?

http://www.cecbn.com  2008年04月03日08:48:55 日经BP社

最近,在LSI后工序的技术人员之间,有关层叠多个LSI的三维(3D)LSI“是否会成为新技术革命的核心”的讨论日趋热烈。期待也在与日俱增:“冲击如此之大的技术变化在后工序中几乎没有先例”(DISCO名誉会长关家宪一)。

 

3D-LSI广义上还包含组合现有封装技术的PoP(封装层叠),目前备受关注的是贯通电极方式,即利用贯穿Si芯片的通孔来连接芯片。该方式能够实现芯片之间的最短连接,适合小型、高速、节能的要求。贯通电极方式的3D-LSI还能给制造工序带来变化。包括形成通孔的蚀刻装置、激光装置、把Si芯片切削至极薄的装置及切割装置、粘贴超薄型Si晶圆的胶带、配备超薄型芯片的贴片机在内,各种装置和部材都需要采用新技术。

 

另一方面,著名半导体厂商虽然不断表示已经着手贯通电极方式3D-LSI的技术开发,但均没有决定量产。这一现象与过去为对抗将多个功能电路单芯片化的SoC(片上系统)技术,封装技术人员提出组合原有芯片的SiP(系统级封装)技术的情景非常相像。SiP依靠LSI设计人员的开发,迅速得到了普及,3D-LSI也同样需要LSI设计人员的认真对待。

 

为此,应用方面的需求不可或缺。过去,推动LSI设计进步的动力的产品是手机和数码相机等。但是时至今日,手机已经从功能竞争转向设计竞争,数码相机也出现了“功能已经穷尽的感觉”(著名半导体厂商的设计技术人员)。在这种情况下,值得期待的是汽车的采用。这是因为汽车电子化今后将进一步发展,“发动机控制、传感器控制、通信控制都能成为采用3D-LSI的候选”(同上)。但是,汽车用途的可靠性要求远远高于手机和数码相机。可以说,要想以汽车为中心实现3D-LSI的腾飞,确保足够的可靠性是必要条件。

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