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| 江西联创特种微电子有限公司 | ||||||||
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公司介绍 |
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| 本公司原为国营七四六厂，建于1962年，占地面积13万平方米，2001年经过改制重组成立，设有综合部、财务部、品质部、研发部、市场部、军工分厂，现有人员248人，其中技术人员77人。2005年总产值3800万元，税金220万元，利润480万元。军工分厂专门从事军用硅结场效应晶体管和硅高频小功率晶体管的研制与生产，多年来已为几十项国家重点工程和武器装备提供数百万只军用半导体器件，曾受到中共中央、国务院、中央军委等部门的表彰和奖励。 | ||
产品展示 |
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硅N沟道结型场效应晶体管 3DJ3 9/11/07 |
硅N沟道耗尽型MOS场效应晶体管 3D01F 9/11/07 |
硅N沟道耗尽型MOS场效应晶体管 4DO2D 1/11/07 |
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硅N沟道耗尽型MOS场效应晶体管 4DO2C 1/11/07 |
硅N沟道耗尽型MOS场效应晶体管 4DO1D 1/11/07 |
硅N沟道耗尽型MOS场效应晶体管 4DO1C 1/11/07 |
客户评价 |
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客户留言 |
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